STUDY OF THE DISTRIBUTION PROFILE OF ION- IMPLANTED IN SILICON AND INFLUENCE THERMAL ANNEALING ON THE STRUCTYRE OF IRON SILICIDES
Keywords:
impurity, iron, silicon, thermal annealing, doping depth, concentration distribution, ion implantation.
Abstract
The paper presents the results of studies of the distribution profiles of implanted iron atoms in silicon depending on the irradiation dose and annealing temperature by the RBS method. The obtained results confirm similar data obtained by SIMS. The influence of thermal annealing on the distribution of iron and other impurities, in particular oxygen, has been studied. The possibility of using the RBS method for the analysis of the concentration distribution and the interaction of impurities with each other is presented. At the same time, the crystal structure of the surface and the electrophysical properties of ion-doped layers were studied.
References
1. Gerasimenko.N.N., ParkhomenkoYu.N. Silicon as material for nanoelectronics, // Technosfera, M. 2007.352P.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гелд П.В., Сидоренко Ф.А. Силисиди переходних металлов ИВ периода. // – М.: Металлургия, 1971, с.584.
7. Лифшис В.Г. Электронная структура и силисид образованиэ в тонких плёнках переходних металлов на кремнии // Preprint, 1984, с.260.
8. Эгамбердиэв Б.Э. «Электронно-спектроскопическиэ исследования физических свойств эпитаксиалних комбинасий и ионно- имплантированних слоэв в кремнии». Докторская диссертасия – M, 2003,S 243.
9. Эгамбердиэв Б.Э., Абдугабборов М. Изучениэ некоторих особенностей профилей распределения имплантированних атомов Mn, Fe i Ni v Si // Вестник ТГТУ, 1994.,T.1-2., S.39-44.
10. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С. Кремниэвиэ силисидниэ структури на основе ионного легирования. // T.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
11. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
12. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
13. Эгамбердиэв Б.Э., Маллаэв А.С., Тошев А.Р. Особенности элетроннои структурой ионно-имплантированных слоэв Ni, Fe и Cо в кремнии. //Мездународная конфереция. Россия 2009, Томск, пп. 77-80.
Published
2024-03-29
How to Cite
Bahrom EGAMBERDIEV, Amin MALLAEV, & Shohruh SAYFULLOEV. (2024). STUDY OF THE DISTRIBUTION PROFILE OF ION- IMPLANTED IN SILICON AND INFLUENCE THERMAL ANNEALING ON THE STRUCTYRE OF IRON SILICIDES. News of the NUUz, 3(3.1), 524-528. https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1947
Section
Articles
.jpg)
1.png)
This work is licensed under a 