BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si
Keywords:
NiSi2 nanofilms, surface structure, Auger electron spectroscopy, solid-phase deposition, morphology, ultrahigh vacuum, heterostructure, band gap, scanning electron, atomic force microscopy.
Abstract
In this work, nanocrystalline phases and layers of NiSi2 were obtained by implantation of Ni + ions in Si in combination with annealing in the near-surface Si layer at a depth of 15-25 nm. At D = 8 ∙ 1016 cm-3, a nanofilm heterostructure of the Si/NiSi2/Si type was formed. For the first time, the band gap widths of nanocrystalline phases and NiSi2 layers formed in the near-surface region of Si have been estimated. It is shown that island films of NiSi2 are formed at thicknesses h <150 Å. The band gap of the islands and NiSi2 films practically do not differ from each other and amounted to ~ 0.6 eV, and the values of differ by several orders of magnitude
References
ЛИТЕРАТУРА
1. Williams R.S. Low energy Ar ion bombardment of Si, GaAs surfaces //Solid State Commun. 1982. V.41. №2. P. 153-156
2. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы (сборник статей под ред. В.С.Вавилова) //Новости физики твердого тела. 1980. 10 С.
3. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлы //Поверхность 1982. №4 С.27-50
4. Greene I.E. and Barnett S.A. Non-surface interactions during vapour, phase crystal growth be sputtering MBE, and plasma-enhanced CVD: Applications of semiconductors // J.Vas. Sci. and Technol. 1982, 21, №2. P.285
5. Алешин А.Н., Унишерлова К.Л. и др. Создание внутренного геттера в кремний путем имплантации ионов углерода и кислорода// Поверхность. 1992. №1. С. 35-40.
6. Нормурадов М.Т. Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Тошкент, Фан. 1989, 158 с.
7. S.J. Nimatov, D.S. Rumi Suubmonolayer Films on a Si(111) Surface under Low_Energy Ion Bombardment // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2014, Vol. 78, No. 6, pp. 531–534.
8. Нормурадов М.Т., Рысбаев А.С., Либенсон В.Н. Особенности плазменных колебаний электронов в приповерхностном слое ионно-легированного кремния //Поверхность. 1989. №5. С.100-103
9. И.М.Несмелова, Н.И.Астафьев, Н.А.Кулкова «Оптические свойства монокристаллического кремния в области спектра 3-5 мкм»
10. Научно-технический «Оптический журнал». 20212 г
11. А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева. Гетероструктуры Si/NiSi2/Si полученных методом твердофазного осаждения // ҚарДУ хабарлари. – Қарши, 2021.– №4. – Б. 23-26.
12. Л.И. Хируненко, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин “ Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора” Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 2
13. N.J. Shevchik, W. Paul. The structure of amorphous Ge // J. Non-Cryst. Sol., 16, 55 (1974).
14. Tashatov A.K., Mustafoeva N.M. Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition// Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
15. Ташатов А.К., Мустафоева Н.М., Ташмухамедова Д.А., Нормуродов М.Т., Aбдуваитов A.A. Получение многомлойной наносистемы Si/NiSi2/Si (111)// XLIX международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва 2019 г с.38
16. А.К. Ташатов, Б.Е. Умирзаков, Н.М. Мустафоева. Изучение морфологии поверхности пленок NiSi2/Si используемых в приборах солнечной энергетики // Фотоэнергетикада наноструктурали яримўтказгич материаллар, Халқаро илмий анжумани, Тошкент-2020. с.315-317
17. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полепроводников. Пер. с англ.-М.: Мир, 1996, 486 с.
1. Williams R.S. Low energy Ar ion bombardment of Si, GaAs surfaces //Solid State Commun. 1982. V.41. №2. P. 153-156
2. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы (сборник статей под ред. В.С.Вавилова) //Новости физики твердого тела. 1980. 10 С.
3. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлы //Поверхность 1982. №4 С.27-50
4. Greene I.E. and Barnett S.A. Non-surface interactions during vapour, phase crystal growth be sputtering MBE, and plasma-enhanced CVD: Applications of semiconductors // J.Vas. Sci. and Technol. 1982, 21, №2. P.285
5. Алешин А.Н., Унишерлова К.Л. и др. Создание внутренного геттера в кремний путем имплантации ионов углерода и кислорода// Поверхность. 1992. №1. С. 35-40.
6. Нормурадов М.Т. Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Тошкент, Фан. 1989, 158 с.
7. S.J. Nimatov, D.S. Rumi Suubmonolayer Films on a Si(111) Surface under Low_Energy Ion Bombardment // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2014, Vol. 78, No. 6, pp. 531–534.
8. Нормурадов М.Т., Рысбаев А.С., Либенсон В.Н. Особенности плазменных колебаний электронов в приповерхностном слое ионно-легированного кремния //Поверхность. 1989. №5. С.100-103
9. И.М.Несмелова, Н.И.Астафьев, Н.А.Кулкова «Оптические свойства монокристаллического кремния в области спектра 3-5 мкм»
10. Научно-технический «Оптический журнал». 20212 г
11. А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева. Гетероструктуры Si/NiSi2/Si полученных методом твердофазного осаждения // ҚарДУ хабарлари. – Қарши, 2021.– №4. – Б. 23-26.
12. Л.И. Хируненко, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин “ Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора” Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 2
13. N.J. Shevchik, W. Paul. The structure of amorphous Ge // J. Non-Cryst. Sol., 16, 55 (1974).
14. Tashatov A.K., Mustafoeva N.M. Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition// Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
15. Ташатов А.К., Мустафоева Н.М., Ташмухамедова Д.А., Нормуродов М.Т., Aбдуваитов A.A. Получение многомлойной наносистемы Si/NiSi2/Si (111)// XLIX международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва 2019 г с.38
16. А.К. Ташатов, Б.Е. Умирзаков, Н.М. Мустафоева. Изучение морфологии поверхности пленок NiSi2/Si используемых в приборах солнечной энергетики // Фотоэнергетикада наноструктурали яримўтказгич материаллар, Халқаро илмий анжумани, Тошкент-2020. с.315-317
17. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полепроводников. Пер. с англ.-М.: Мир, 1996, 486 с.
Published
2024-03-29
How to Cite
Алланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, & Нодира МУСТАФОЕВА. (2024). BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si. News of the NUUz, 3(3.1), 508-512. https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1944
Section
Articles
.jpg)
1.png)
This work is licensed under a 