Si SIRTGA YAQIN HUDUDIDA YARATILGAN YASHIRIN NiSi2 NANOKRISTALLINING TAQIQLANGAN SOHA KENGLIGI
"Maqola"
Ushbu ishda Ni+ ionlarini Si yuzasiga implantatsiya qilish va keyingi qizdirish usuli bilan Si ning yuza osti qatlamida 15-25 нм chuqurlikda NiSi2 ning nanokristall fazalari va qatlami hosil qilingan. Ionlar dozasi D=8 ∙ 1016 cм-3 bo‘lganda Si/NiSi2/Si turidagi nanoqatlamli geterostukturasi hosil bo‘lgan. Birinchi marta Si ning yuza qatla
Ushbu ishda Ni+ ionlarini Si yuzasiga implantatsiya qilish va keyingi qizdirish usuli bilan Si ning yuza osti qatlamida 15-25 нм chuqurlikda NiSi2 ning nanokristall fazalari va qatlami hosil qilingan. Ionlar dozasi D=8 ∙ 1016 cм-3 bo‘lganda Si/NiSi2/Si turidagi nanoqatlamli geterostukturasi hosil bo‘lgan. Birinchi marta Si ning yuza qatlamida hosil qilingan NiSi2 nanokristal fazalarining va qatlamlarining zona kengliklari aniqlanadi. Qatlamning qalinligi h<150 Å bo‘lganda NiSi2 ning orolchali o‘sishi aniqlandi. NiSi2 orolchalarining va plenkalarining taqiqlangan zona kengligi bir-biridan farq qilmasligi va ~ 0,6 эВ ga tengligi aniqlandi ammo ularning ρ bir necha darajada farq qilishi aniqlandi.
mida hosil qilingan NiSi2 nanokristal fazalarining va qatlamlarining zona kengliklari aniqlanadi. Qatlamning qalinligi h<150 Å bo‘lganda NiSi2 ning orolchali o‘sishi aniqlandi. NiSi2 orolchalarining va plenkalarining taqiqlangan zona kengligi bir-biridan farq qilmasligi va ~ 0,6 эВ ga tengligi aniqlandi ammo ularning ρ bir necha darajada farq qilishi aniqlandi.
References
1. Williams R.S. Low energy Ar ion bombardment of Si, GaAs surfaces //Solid State Commun. 1982. V.41. №2. P. 153-156
2. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы (сборник статей под ред. В.С.Вавилова) //Новости физики твердого тела. 1980. 10 С.
3. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлы //Поверхность 1982. №4 С.27-50
4. Greene I.E. and Barnett S.A. Non-surface interactions during vapour, phase crystal growth be sputtering MBE, and plasma-enhanced CVD: Applications of semiconductors // J.Vas. Sci. and Technol. 1982, 21, №2. P.285
5. Алешин А.Н., Унишерлова К.Л. и др. Создание внутренного геттера в кремний путем имплантации ионов углерода и кислорода// Поверхность. 1992. №1. С. 35-40.
6. Нормурадов М.Т. Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Тошкент, Фан. 1989, 158 с.
7. S.J. Nimatov, D.S. Rumi Suubmonolayer Films on a Si(111) Surface under Low_Energy Ion Bombardment // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2014, Vol. 78, No. 6, pp. 531–534.
8. Нормурадов М.Т., Рысбаев А.С., Либенсон В.Н. Особенности плазменных колебаний электронов в приповерхностном слое ионно-легированного кремния //Поверхность. 1989. №5. С.100-103
9. И.М.Несмелова, Н.И.Астафьев, Н.А.Кулкова «Оптические свойства монокристаллического кремния в области спектра 3-5 мкм»
10. Научно-технический «Оптический журнал». 20212 г
11. А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева. Гетероструктуры Si/NiSi2/Si полученных методом твердофазного осаждения // ҚарДУ хабарлари. – Қарши, 2021.– №4. – Б. 23-26.
12. Л.И. Хируненко, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин “ Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора” Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 2
13. N.J. Shevchik, W. Paul. The structure of amorphous Ge // J. Non-Cryst. Sol., 16, 55 (1974).
14. Tashatov A.K., Mustafoeva N.M. Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition// Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
15. Ташатов А.К., Мустафоева Н.М., Ташмухамедова Д.А., Нормуродов М.Т., Aбдуваитов A.A. Получение многомлойной наносистемы Si/NiSi2/Si (111)// XLIX международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва 2019 г с.38
16. А.К. Ташатов, Б.Е. Умирзаков, Н.М. Мустафоева. Изучение морфологии поверхности пленок NiSi2/Si используемых в приборах солнечной энергетики // Фотоэнергетикада наноструктурали яримўтказгич материаллар, Халқаро илмий анжумани, Тошкент-2020. с.315-317
17. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полепроводников. Пер. с англ.-М.: Мир, 1996, 486 с.
.jpg)
.png)
Ushbu jurnal 