THERMAL STABILITY OF ELECTRICAL PARAMETERS OF NICKEL-DOPED SILICON DURING GROWTH
##plugins.pubIds.doi.readerDisplayName##:
https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1917
"Kalit so‘zlar"
:
silicon, thermal donor, nickel, alloying, thermal stability.
"Maqola"
Mazkur ishda, kremniy kristalining o'sishi jarayonida unga nikel atomlarining kiritilishi 450...1050 ℃ haroratlarda va t = 0,5...25 soat davomiylikdagi termik ishlov berishda elektrofizik parametrlari stabil qoladigan material olish imkonini berishi ko‘rsatilgan. Bu stabil parametrlarga ega yarimo‘tkazgichli qurilmalar va quyosh batareyalari uchun material yaratishning eng tejamkor usuli hisoblanadi.
References
1. Бахадырханов М.К. Исследование физических явлений в кремний, компенсированном элементами переходной группы железа и возможности его использования в полупроводниковой электронике//дис. на соиск. ученой степени доктора физико-математических наук. – Ташкент: 1982. С. 479.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
2. Бахадирханов M.K., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния//Приборы. 2020. №6, С. 44-48.
3. Исмайлов К.А., Исмайлов Б.К., Зикриллаев Х.Ф., Илиев Х.М, Ковешников С.В., Абдурахманов Б.А., Аюпов К.C. Перестройка кластеров атомов никеля в кремнии//- Вінниця: Матеріали VI міжнародної науково-практичної конфренції. 2018. С. 200-202.
4. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В. Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким p−n-переходом// Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 19. C. 3-6.
5. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т. Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов// ЖТФ. 2021. Вып. 6. C. 981-987.
6. Асташенков А.С., Бринкевич Д.И., Петров В.В. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии// Доклады БГУИР 2008 № 8 (38). C. 37-43.
7. Талипов Ф.М., Бахадырханов М.К. Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния// ФТП.1990. Т. 24. Вып. 12. С. 2202-2203.
8. Батавин В.В., Кочина Э.А., Сальник З.А. О механизме образования термодоноров в содержащем кислород кремнии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 692–696.
9. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния//-Київ: Інтерпрес ЛТД. 1997. C. 240.
10. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина Л.В. Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов// ФТП. 2000. Т. 42. Вып. 11. C. 1969-1975.
11. Yutaka Y., Guido L. Defects and Impurities in Silicon Materials// -Japan: Springer. 2015. pp. 273-341.
12. Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С. Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии// ФТП. 1998. Вып. 6. С. 712.
Nashr qilingan
2024-03-29
How to Cite
Канатбай ИСМАЙЛОВ, & Ерназар КОСБЕРГЕНОВ. (2024). THERMAL STABILITY OF ELECTRICAL PARAMETERS OF NICKEL-DOPED SILICON DURING GROWTH. O‘zMU Xabarlari, 3(3.1), 490-493. https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1917
"Bo'lim"
Maqolalar
.jpg)
.png)
Ushbu jurnal 