ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ КОБАЛЬТА

  • Амин МАЛЛАЕВ Директор Национального центра подготовки педагогов новых методов Кашкадарьинской области, доцент.
  • Бахром ЭГАМБЕРДИЕВ Профессор Федерального государственного бюджетного высшего образовательного учреждения Национального исследовательского университета «МЭИ» в г. Ташкенте
  • Шохрух САЙФУЛЛОЕВ, Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека, PhD
DOI: https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1918
Ключевые слова: имплантация, кобальт, эпитаксиальный слой, термический отжиг, профиль распределения, доза облучения, резерфордовское обратное рассеяние, вторично-ионная масс спектроскопия.

Аннотация

Приводятся результаты исследования профилей распределения имплантированных атомов кобальта в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Полученные результаты хорошо согласуются с аналогичными данными полученными методами вторично-ионной масс спектроскопии (ВИМС). Изучены влияния термического отжига на распределения кобальта и в частности кислорода. Доказано, что при определенных условиях термической обработки и дозах облучения на поверхности монокристалла образуются так называемые эпитаксиальные силициды, которые могут играть роль проводящих слоев или металлических покрытий. Отмечена возможность использования  метода РОР для анализа как концентрационного распределения легирующих примесей, так и взаимодействия примесей.

Литература

1. I. Goldfarb, CoSi2 surface phase separation into self-assembled lateral multilayers //Appl. Phys. Lett. - 82. - P. 1185-1187. -2003
2. Эгамбердиев Б.Э. , Холлиев Б.Ч., Маллаев А. С., Зоирова М. Э., Эшонхонов А. “Получение пленок CoSi2/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой,твердофазной и реактивнойэпитаксии” ЭОМ, Молдова, 2007, №1, С.88-92.
3. К. Sakamoto, Т. Maeda, and М. Hasegawa. Growth of epitaxial CoSi2 for contacts of ultra-thin SOI MOSFETs //Thin Solid Films. - 369. - 2000. - C.240-243.
4. Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. Т.: изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
5. Egamberdiev B.E., Holliev B.Ch., Mallaev A.S., Zoirova M.E., Eshonkhonov A., Preparation of CoSi2/Si (100) films and analysis of their morphology and stoichiometry by molecular beam, solid-state and reactive epitaxy // EOM, Moldova, 2007, No. 1, P.88-92.
6. B.E. Egamberdiev, A.T. Rakhmanov, A.S. Mallaev, A.A Rashidov The electron-spectroscopic Investigations of the epitaxial CoSi2 films on silicon // International Journal of Advanced Research in Science, Engineering and Technology 2018, vol.5, Issue 1.p.5050-5053.
7. K. Raian, L.M. Hsiung, J.R. Jimenez, L.J. Schowaller, K.V. Ramanathan, R.D. Thompson, S.S. Iyer. Microstructural stability of epitaxial CoSi2/Si(001) interfaces. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. No. 9. P. 4853 - 4856.
8. Rangelov G., Augustin P., Stober J., Th. Fauster. Initial stages of epitaxial CoSi2 formation on Si(100) surfaces. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. No. P. 7535-7542.
9. Karpenko O.P., Yalisove S.M. CoSi2 heteroepitaxy on patterned Si(100) substrates. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. No. 11. P. 6211 - 6218.
10. Ikegami H., Ikeda H., Zaima S., Yasuda Y.. Thermal stability of ultra¬thin CoSi2 films on Si(100)-2xl surfaces. // Appl. Surf. Sci. 1997. V. 117/118. P. 275 - 279.
11. R.T. Tung. A novel technique for ultrathin CoSi2 layers: oxide mediated epitaxy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part 1, No. 3b. P. 1650 - 1654.
Опубликован
2024-03-29
Как цитировать
Амин МАЛЛАЕВ, Бахром ЭГАМБЕРДИЕВ, & Шохрух САЙФУЛЛОЕВ,. (2024). ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ КОБАЛЬТА. Вестник УзМУ, 3(3.1), 492-497. https://doi.org/10.69617/uzmu.v3i3.1.1918
Выпуск
Том 3 № 3.1 (2024): O'zMU XABARLARI (3.1 SONI) 2024
Раздел
Статьи